技术编号：7162692
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及结型场效应晶体管(JFET)，具体涉及一种沟槽栅JFET及其制作方法。 背景技术图1所示为现有的N沟道沟槽栅结型场效应晶体管(JFET) 100的剖视图，该沟槽栅JFET 100包括N+源极区102、P型多晶硅填充的P型栅极区104、P+注入区106、N-外延层120以及N+漏极区118(—般为衬底)。其中P+注入区106是向P型多晶硅填充的沟槽116底部注入杂质形成的。P型栅极区104是两个彼此分离的区域，位于它们之间的区域是沟道108。此外，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。