GaN基双蓝光波长发光器件及其制备方法技术资料下载

技术编号:7162771

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本发明涉及半导体光电子器件领域,具体地说,涉及一种。背景技术发光二极管是一种半导体固体光源,它具有体积小、低耗能、低电压驱动、响应速度快、寿命长、结构牢固、抗冲击和抗震能力强、有利于环保等众多优点。在照明、显示、指示等方面具有非常广的应用前景,因此LED将成为21世纪替代传统照明器件的新光源。GaN基LED制备经过LED外延片生长,LED芯片制备和LED封装三个主要环节。GaN 材料生长方法有很多,譬如金属有机化学气相外延(M0CVD)、分子束外延(MBE...
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