技术编号：7162904
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电子，涉及材料科学与半导体器件，尤其是一种近紫外LED 器件，可用于交通，显示，医学，照明等，但最主要的应用还是在白光照明上。背景技术近紫外LED指的是发光波长位于355 405nm波段范围的LED。目前在LED的研究和生产中用到最多也是最有潜力的材料GaN的禁带宽度为3. ^V，对应的发光波长为 365nm,刚好处于近紫外波段范围，因此，近紫外LED中一般采用GaN作为η型和ρ型的覆盖层。近年来，GaN, InGaN和AWaN材料被应用于发展...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。