技术编号:7163338
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子,特别是涉及。背景技术闪存存储器是现在主流的存储技术,能够随时擦除和重写数据信息,并且在电路断电的情况下保持存储的数据信息,即既具有随机存取存储器(RAM)的优势,又具有只读存储器(ROM)的特点,因此闪存存储器又被称为一种非挥发存储器。传统的闪存存储器被称为浮栅型电荷俘获存储器,这种浮栅型电荷俘获存储器采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元,其结构与普通场效应管不同。浮栅型电荷俘获存储器具有两个栅极,一个如普通场效应管栅极一样,用导线引出,称...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。