一种纳米晶存储器及其制作方法技术资料下载

技术编号:7163338

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本发明涉及微电子,特别是涉及。背景技术闪存存储器是现在主流的存储技术,能够随时擦除和重写数据信息,并且在电路断电的情况下保持存储的数据信息,即既具有随机存取存储器(RAM)的优势,又具有只读存储器(ROM)的特点,因此闪存存储器又被称为一种非挥发存储器。传统的闪存存储器被称为浮栅型电荷俘获存储器,这种浮栅型电荷俘获存储器采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元,其结构与普通场效应管不同。浮栅型电荷俘获存储器具有两个栅极,一个如普通场效应管栅极一样,用导线引出,称...
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