技术编号：7163603
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种半导体组件的制造方法，特别是关于一种可改善组件特性并增进组件功效的高压组件(High Voltage Device)制造方法。背景技术 高压组件是应用在电子产品中需要以高电压操作的部份，通常在一般集成电路的架构中，有些产品在输入/输出(I/O)区域中的控制组件会比在核心组件区域中的控制组件所需的电压更大，且此输入/输出区域必须具有能耐更高电压的组件，以防止组件在高压下的正常操作不会发生电压崩溃(Breakdown)等现象；所以高压组件的结构...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。