技术编号：7165320
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米压印，具体为一种使用纳米压印和接触式光刻两种图形化技术制作硅纳米线晶体管的方法。背景技术随着微电子技术的发展，CMOS集成电路的特征尺寸不断缩小，芯片器件密度不断增加。这样的器件尺寸缩微在提升晶体管速度和降低功耗的同时也带来了包括短沟道效应、单位面积功耗上升在内的各种困难。为了克服上述困难，人们提出了基于硅纳米线结构的各种固态开关器件。如以硅纳米线作为沟道的双栅场效应晶体管结构、FinFET结构、和环栅场效应晶体管结构等。然而，为了制备高性能...
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