技术编号：7165959
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种MOS器件的形成方法及利用上述方法形成的MOS器件。背景技术MOS器件是集成电路中的基本元件之一。近年来，半导体行业中出现了采用硅-锗作为源、漏极提高MOS器件性能。已知，在单轴压缩应变从硅-锗源区和漏区直接施加于晶体管的沟道区时，PMOS晶体管的性能可以得到改进。单轴拉伸应变加于沟道区时，NMOS晶体管的性能可以得到改进。图1至图3所示为现有技术中的采用硅-锗作为源、漏极的MOS器件的制作步骤中形成的各结构示意图。首...
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