技术编号：7166135
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，特别涉及铜互连冗余通孔填充及双大马士革制造工艺背景技术随着半导体集成电路特征尺寸的持续减小，后段互连电阻电容 (ResistorCapacitor,简称RC)延迟呈现显著增加的趋势，而为了减少后段互连RC延迟，铜互连取代铝互连成为主流工艺。由于铜互连线的制作方法不能像铝互连线那样通过刻蚀金属层而形成，铜大马士革镶嵌工艺成为铜互连线的制作的标准方法。铜大马士革工艺在平面基体上淀积一介电层；通过光刻和刻蚀工艺在介电层中形成镶嵌的通孔和...
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