技术编号：7166388
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳电池，具体为一种新型的硅薄膜异质结太阳电池及其制作方法。背景技术提高硅薄膜太阳电池的效率和稳定性是硅薄膜太阳电池产业化的必然途径。目前产业化的硅薄膜太阳电池只有非晶硅薄膜太阳电池。非晶硅薄膜可以大面积沉积，而且对太阳光的吸收效率高，只需要500nm厚就可以吸收能量大于非晶硅禁带宽度的大部分太阳光，同时在弱光下性能要好于晶体硅太阳电池，但非晶硅薄膜太阳电池效率较低，而且在光照下数个小时后会迅速衰减。从理论上看，多晶硅薄膜太阳电池和单晶硅薄膜太阳...
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