技术编号：7166914
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体，具体涉及一种高迁移率MOS电容及其制作方法。 背景技术自20世纪60年代以来，硅一直是现代电子工业中最重要的半导体材料，主要是由于它形成非常高质量的天然氧化物用于表面钝化。经过40多年的持续等比例缩小发展，经典体硅MOSFET的缩小正接近其物理极限，这就需要新材料和新的器件结构的创新。高介电常数(k)材料可以对介质物理厚度的限制放宽k/3. 9倍，其在硅基集成电路领域的研究已取得了不少的进展，Intel公司已将高k栅介质材料和金属栅应用到...
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