技术编号：7167178
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。示例实施例涉及。更具体地讲，示例实施例涉及制造在半导体基底中具有贯通电极的半导体装置的方法。背景技术随着装置速度和装置集成度提高，信号延迟也会增加，例如，因互联结构所引起的寄生电容导致的信号延迟。集成技术的发展已经引起三维集成的发展，其中，与传统的二维方法相比，晶片可以三维堆叠。在三维晶片堆叠封装件(WSP)中，可以使用被称作硅通孔(TSV)的技术来延伸穿过基底的通孔，从而可使贯通电极的导电通孔形成为竖直延伸并完全穿透基底。与长的布线图案互联相比，这样的T...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。