技术编号:7168265
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体芯片的后段制程,特别是有关一种以一非晶碳植入层(amorphous carbon doped layer)作为硬罩幕来蚀刻金属导线的方法。背景技术 在半导体芯片的后段(back end of line;BEOL)制程中,在芯片中加上连接各组件与各层所需要的金属系统的制程,称为金属化制程。上述的金属化制程是包含形成一介电质层覆盖一半导体基板、平坦化并图形化上述介电质层以形成沟槽及/或介层窗、以及填充上述沟槽及/或介层窗以形成导线及/或...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。