技术编号：7168764
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路器件，更具体地，涉及一种具有提高的磁性层厚度余量的磁存储器件。背景技术除了高操作速度和低功耗之外，快速的写入/读取操作和低操作电压也是嵌入在电子设备中的存储器件的有用特性。已经提出磁存储器件来满足所述有用的特性。磁存储器件可以具有高速操作和/或非易失性的特性。通常，磁存储器件可以包括磁隧道结(以下，称为MTJ)。MTJ可以包括一对磁性层和插入在这一对磁性层之间的由绝缘材料构成的绝缘层。MTJ的电阻可以基于这一对磁性层的磁化方向而...
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