技术编号：7169061
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其涉及。背景技术专业术语说明N阱在P型衬底上扩散N型区；P阱在N型衬底上扩散P型区；N+N型重掺杂区；P+P型重掺杂区；Fox场氧化层。肖特基二极管是以金属为阳极、轻掺杂的N型半导体为阴极，利用金属与轻掺杂N型半导体二者的功函数差产生的接触势垒(通常称为肖特基势垒)具有整流特性而制作的半导体器件。肖特基二极管具有正向压降小、反向恢复时间短(即具有较高的工作频率和开关速度)等优点，因此被广泛的应用在高频电路、电源电路、整流系统等电路和系统...
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