技术编号：7169516
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体器件制造领域，尤其涉及一种超结MOSFET的P型漂移区的形成方法以及一种形成有P型漂移区的超结MOSFET结构。背景技术功率半导体器件总是不断朝着大的功率控制容量(高压大电流)和高速方向发展。功率集成电路中的高压MOS器件中，由于垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 (VDMOS)兼具双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。导通电阻(RON)是衡量VDMOS性能的重要指标。按照导电沟...
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