半导体互连结构及形成方法技术资料下载

技术编号:7170089

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本发明涉及半导体技术,特别涉及一种能降低互连层应力迁移的。背景技术随着半导体技术的进步,集成电路期间的尺寸变得越来越小,当集成电路的集成度增加时,芯片表面无法提供足够面积来制作所需的互连线。因此,目前超大规模集成电路的结构大都采用多层堆叠的金属互连结构。在多层堆叠的金属互连结构中,每一层金属互连层都包括若干条金属互连线,位于同一层的金属互连线之间利用介质材料相隔离,位于不同层的金属互连线之间也利用介质材料相隔离,不同层的金属互连线之间通过导电插塞相连接。由...
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