技术编号：7170500
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种二氧化硅去除溶液及其制备方法和应用，特别涉及去除半导体芯片中覆盖铝层的钝化层中的二氧化硅层以及铝层之间的二氧化硅层的二氧化硅去除溶液及其制备方法和应用。背景技术半导体芯片通常依次由硅衬底、多晶硅层、介质层、金属层和钝化层构成，其中，介质层通常为二氧化硅层，金属层通常由铝构成，钝化层通常由下层的二氧化硅层和上层的氮化硅层构成。铝层在半导体芯片中发挥电路连接作用，并且铝层结构的观察对于监控半导体芯片的生产、失效分析、产品开发、反向设计尤为重要。目...
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