技术编号:7177501
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体芯片,特别涉及一种低导通压降可控硅芯片。 背景技术应用传统钛镍银金属化工艺制作的可控硅芯片是由硅片、钛层、镍层、银层构成。 由于金属钛与硅的接触电阻较大,导通压降较高,使其正常工作条件下发热量较高,影响产品的可靠性和使用寿命。发明内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种导通压降小、发热量低、可靠性好、使用寿命长的低导通压降可控硅芯片。本实用新型涉及的低导通压降可控硅芯片,包括硅片,依次设在硅片背面的钛层、 镍层、银层,其特殊之处是在...
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