技术编号：7181147
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及运用半导体可控硅(Semiconductor controlled rectifier, SCR)器 件的静电保护(electrostatic discharge,ESD)，更具体的说，是关于一种具有高维持电压 的SCR ESD保护结构。背景技术集成结构工艺的不断发展，集成结构的特征尺寸逐渐减小，诸如短栅长、薄栅氧化 层、浅结深、漏区轻掺杂以硅化物掺杂等先进工艺，在提高集成结构性能和集成度的同时却 造成内部结构在静电泄放ESD冲击来临时更容易被损...
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