技术编号：7181260
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，特别涉及一种缓和在实际工作区域最外周的沟道底部的电场集中，控制耐压恶化的。背景技术 图12以沟道结构的N沟道型的功率场效应晶体管(MOSFET)为例表示目前的半导体装置。在N+型硅半导体基板21的上面，设置由N-型外延层构成的漏极区域22，在其表面设置P型通道层24。通道层24在实际工作区域整面形成同样的深度，在实际工作区域外的通道层24周端部设置着用于确保耐压的P+型区域24a。贯通通道层24，设置直到漏极区域22的沟道27，将沟道27的...
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