技术编号：7183329
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及。 背景技术本申请要求2009年2月16日提交的韩国专利申请No. 10-2009-0012411的优先 权，此处以引证的方式并入其全部内容。为了满足近来增长的能源需求，已经开发出将太阳光能转换成电能的各种太阳能 电池。在这些太阳能电池中，使用硅膜的太阳能电池被广泛应用在商业中。通常，太阳能电池利用外部光在其半导体中产生电子/空穴对。在电子/空穴对 中，通过在pn结产生的电场，电子移向n型半导体，空穴移向p型半导体。因此，产生电力。为了具备更优秀...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。