技术编号：7183453
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别涉及一种功率金氧半导体场效 晶体管(power metal-oxide-semiconductor field effect transistor ；powerMOSFET)及 其制造方法。背景技术功率金氧半导体场效晶体管被广泛地应用在切换(power switch)元件上，例如是 电源供应器、整流器或低压马达控制器等等。一般而言，功率金氧半导体场效晶体管多采取 垂直结构的设计，以提升元件密度。其利用芯片的背面作...
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