技术编号：7183469
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基板处理装置。背景技术以往，作为分批式的基板处理装置，主要使用热壁型的CVD装置。反应炉由石英部件构成，对反应炉的加热采用电阻加热方式。在对反应炉进行加热的情况下，对整个反应炉进行加热，通过控制部对炉内的温度进行控制。原料气体通过供给用喷嘴等进行供给，由此，在基板上形成膜。(例如，参照专利文献1)。 专利文献1 日本特开2008-277785号公报 但是，在使用以往的热壁CVD装置并通过一般的手法在基板上形成膜的情况下， 不仅在基板表面，在基板背...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。