技术编号:7183709
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体硅太阳能电池的制备,尤其是一种利用激光照射制备晶体硅太阳 能电池选择性发射极的方法。背景技术太阳电池的发展方向是低成本、高效率,而选 择性发射极结构是p-n结晶体硅太 阳电池生产工艺中有希望实现高效率的方法之一。选择性发射极结构有两个特征1)在电 极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区;2)在其他区域形成低掺杂浅扩散区,此区域是太 阳能电池的受光区域,也称为活化区。在电极栅线底下及其附近形成高掺杂深扩散区,高掺杂做电极时容易形成欧姆接 触,且此区...
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