技术编号：7183867
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料和光电子器件领域，尤其涉及。背景技术氧化锌(ZnO)是一种新型的II-VI族直接带隙宽禁带半导体材料。ZnO的禁带宽度在室温为3. 37eV，发射波长相当于近紫外光波长，非常适合用于制作短波长发光与光敏器件。ZnO的晶格结构、晶胞参数和禁带宽度等都与GaN相似，且具有比GaN更高的熔点和更大的激子束缚能，又具有较低的光致发光和受激辐射的阈值以及良好的机电耦合特性、热稳定性和化学稳定性。因而在蓝紫光发光二极管、紫外发光二极管、激光器及其相关...
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