技术编号：7191944
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般而言是与半导体制造有关，更明确地，是关于一种整合高压元件制程及混合信号元件制程之的法。依据本发明的一实施例，包含提供一半导体基底；在半导体基底上界定井区；以场氧化物界定活性区；在活性区上形成闸极氧化物；形成第一多晶硅于活性区及场氧化物上；沉积电容电介质于场氧化物上的第一多晶硅上；沉积第二多晶硅于电容电介质上以成型电容器；执行双重扩散漏极(DDD)植入以形成高压元件的源极/漏极区；执行轻掺杂漏极(LDD)植入以形成轻掺杂区域；形成间隔物；及执行源极...
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