技术编号：7194779
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于太阳能光伏器件领域，特别涉及到一种叠层a-SiH/poly-Si太 阳能电池。背景技术非晶硅(a-Si)太阳能电池的传统结构Sn02F/p-a-SiC/i-a-Si/n-a-Si/Al，光吸 收层是由等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的，在真空室内通入SiH4和4，通过 等离子放电使气体分解，然后沉积在20(TC左右的玻璃、塑料或不锈钢等衬底上形成非晶硅 薄膜。在这样低的温度下生产薄膜硅光伏器件的一个显著特点是，大面积沉积硅膜层和电...
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