技术编号：7206293
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种例如将薄氧化膜形成在硅晶片上的方法。 背景技术金氧半导体(MOS (Metal Oxide Semiconductor))电容和晶体管等的半导体器件，要被形成在半导体硅晶片的主表面上。形成于这些半导体器件中的栅极氧化膜等的绝 缘膜，伴随半导体器件的高密度化，其厚度减少，另一方面，由于降低电源电压是困难 的，所以绝缘膜是在高电场强度中使用。因此，需要更高品质的绝缘膜。伴随微细化，硅氧化膜的薄膜化持续进展，氧化膜厚度的偏差容许范围的绝对 值也逼近...
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