技术编号：7206432
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方案涉及硅半导体装置，以及用于太阳能电池装置的导电厚膜组 合物。发明背景技术具有ρ型基板的常规太阳能电池结构具有可位于电池正面(也称为光照面和受光 面)的负极和可位于相对侧的正极。在半导体的p-n结上入射的合适波长的辐射充当在 该半导体中产生空穴_电子对的外部能源。由于p-n结处存在电势差，因此空穴和电子 以相反的方向跨过该结移动，从而产生能够向外部电路输送电力的电流。大部分太阳能 电池为金属化的硅片形式，S卩，具有导电的金属触点。需要具有改善...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。