技术编号：7207478
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体来说涉及图像传感器的领域，且更特定来说涉及堆叠式图像传感器构造。背景技术典型的互补金属氧化物半导体(CM0Q图像传感器具有图像感测部分，所述图像 感测部分包含光电二极管，其用于响应于入射光而收集电荷；及传送栅极，其用于将电荷 从所述光电二极管传送到例如浮动扩散部的电荷/电压转换机构。通常，在与图像传感器 的控制电路相同的材料层内制作所述感测部分且借助与所述控制电路类似的工艺来制作 所述感测部分。在努力增加图像传感器中所提供的像素的数目的过程中，像...
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