技术编号：7208456
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。各实施例涉及用于加工微电子拓扑的方法和系统，且更具体而言，涉及用于防止在蚀刻包围特征的牺牲层之后特征塌缩的方法和系统。背景技术由于其包括在本节中，以下描述和实例将被视为现有技术。微电子拓扑的制造包括多个加工步骤，包括但不限于沉积、图案化、以及蚀刻材料，以形成对装置结构的编辑。在一些实施例中，导电性结构可形成于微电子拓扑的牺牲层内，且随后可去除部分或全部牺牲层，暴露导电性结构的侧壁。在此之后，可利用去离子水漂洗微电子拓扑，以便去除蚀刻溶液和/或副产物，且随后...
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