技术编号:7209322
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求Martin A. Hilkene等人2009年1月沈号申请的“REDUCING PHOTORESIST LAYER DEGRADATION IN PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION(降低光刻胶层在等离子体浸没式离子注入中降解),,的美国临时申请61/206,075的优先权。背景等离子体浸没式离子注入已成为离子束注入的极其有效的替代方案。将诸如半导体晶片的工件浸没于含有待被离子注入的化学物种(例如...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。