技术编号：7210747
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置及其制造方法，特别是包括相变层的。背景技术 近年来，人们一直在积极地研究具有易失性存储装置和非易失性存储装置全部特点的下一代非易失性存储装置，例如铁电随机存取存储器(FRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、磁阻随机存取存储器(MARM)和电阻随机存取存储器(RRAM)。FRAM，PRAM，MRAM和RRAM都具有高速写操作。但是，因为FRAM单元很难按比例缩小，所以FRAM难于开发成大容量的存储器。PRAM易于按比例缩小，且需要...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。