技术编号：7211069
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种钽酸锶铋-钛酸锶钡异质介电材料及其合成方法和应用，即涉及一种SBT-BST异质介电材料及其合成方法和应用，属微电子的。背景技术 作为集成电路技术的核心元件-MOS管，已遵循摩尔定律持续发展了四十多年。使用二氧化硅作为MOS管栅极介电层的技术已经历了七个逻辑制程世代。然而，随着MOS管的体积缩小，栅极介电层也变得越来越薄，其厚度已经逐渐达到整个源-漏通道长度的1/45，仅仅只有几个纳米，即几个原子层厚度。这种纳米技术的水准是对栅极设计提出的挑战...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。