用于应变硅mos晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构的制作方法技术资料下载

技术编号:7211232

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本发明涉及集成电路及其用于半导体器件制造的处理。更具体地,本 发明提供用于制造用于先进CMOS集成电路器件的使用应变硅结构的 MOS器件的方法和结构。然而,应该认识到本发明具有更加广泛的可应用 性。背景技术集成电路已经从制造在单个硅芯片上的少数的互连器件发展到数百万 个器件。传统集成电路提供的性能和复杂度已远远超过了当初的想象。为 了实现复杂度和电路密度(即,能够被安置到给定芯片面积上的器件的数 量)的提高,对于每一代集成电路,最小器件线宽的尺寸(也被称为...
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