技术编号：7211649
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及。更具体，涉及本发明涉及能够根据电极之间的阻抗状态存储数据的非易失性有机阻抗随机存取存储器件及制造该非易失性有机阻抗随机存取存储器件的方法。背景技术 近年来，研究了用于新一代存储器件的各种非易失性存储器件结构，替换动态随机存取存储器(DRAM)。对于非易失性存储器件的研究目的在于扩大容量、增加速度并减小功耗。下一代非易失性存储器件的例子包括磁随机存取存储器(MRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、相位可改变随机存取存储器(PRAM)等。此外，...
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