技术编号：7211653
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及用于制造半导体器件的蚀刻方法、利用该蚀刻方法的金属膜结构体的制造方法、以及利用该蚀刻方法得到的蚀刻结构体。背景技术 一般，在由化合物半导体构成的半导体器件中使用的金属电极是用剥离(lift off)法形成的。即，在形成有元件的衬底的主面上，形成具有与要形成的金属电极的平面形状相同形状的开口的光致抗蚀剂图案。并且，在包含开口的光致抗蚀剂图案的整个面上用真空蒸镀等来堆积作为电极材料的金属。此后，与光致抗蚀剂一起去除(剥离)堆积在开口以外的区域上的...
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