技术编号：7212412
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件工艺，尤其涉及金属氧化物半导体(MOS) 晶体管元件工艺中对于间隙壁的移除。背景技术随着半导体工艺进入到深亚微米时代，例如65纳米(nm)以下的工艺， 对于MOS晶体管元件的驱动电流(drive current)的提升已显得日益重要。为 了改善元件的效能，目前业界已发展出所谓的"应变硅(strained-silicon)技 术"，其原理主要是使栅极沟道部分的硅晶格产生应变，使电荷在通过此应 变的栅极沟道时的移动力增加，进而达到使MO...
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