技术编号:7212848
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有采用纳米线作为沟道的场效应晶体管和采用纳米线的电容器的电路装置。本发明还涉及采用该电路装置的显示设备。背景技术 近来,随着用于LSI的精细工作技术的进展,在提高CPU计算速度、增加半导体存储器容量和电子装置小型化方面有显著的进步。然而,LSI的图案制作是通过包括曝光的顶部向下(bottom-down)方法进行的,它的制作精度限于几十纳米。虽然扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)对于形成几纳米结构是有用的,但这些技术不易应用于较大面...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。