技术编号：7212963
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及半导体集成电路设计领域，更特别地涉及非平面静态随机存取存储器单元设计。背景技术 集成电路设计决策经常由器件可扩展性和制造效率驱动。例如，单栅平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的尺寸减小经常导致减小的驱动电流，因为器件的宽度跟驱动相关。因此，研发了多栅非平面晶体管，例如双栅FET(例如鳍型FET(finFET))或三栅FET，以提供具有更快的驱动电流和减小的短沟道效应的缩放器件。FinFET是非平面晶体管，其中全耗尽沟道区在薄半...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。