技术编号：7213129
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路中OTP的设计及制造技术，尤其涉及一种单 层多晶硅栅OTP器件及其形成方法。 背景技术随着半导体集成电路(IC)的不断发展，目前在许多逻辑电路和高压 工艺应用中(诸如LCD-Driver等)，常常需要用到一次可编程存储(0TP， One Time Programmable)器件。由于所需的OTP容量常常比较小，因此， 均希望在不改变现有工艺的前提下，通过器件设计来达到嵌入OTP的效果。 但现有的单层多晶硅OTP(Single...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。