技术编号：7213710
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般所涉及的是功率半导体器件的单元结构和制作过程。更细地说，本发明将介绍一种新的改进的单元结构和一种具有改进雪崩能力的沟槽半导体功率器件改进的制作方法。背景技术 在一个半导体器件中形成对N+源极和在P基体区域内形成的P-阱的铝金属接触的传统工艺，当单元间距缩小时会遇到不良金属覆盖和不可靠电接触的技术困难。当金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元密度增加到每平方英寸两亿个单元(200M/in2)以上，单元间距缩小到1.8微米甚至更小时，这种技...
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