技术编号：7214596
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，并且更具体地涉及一种具有利用高介电常数材料作为栅绝缘体的MIS(金属绝缘体半导体)型场效应晶体管(MISFET)的半导体装置以及用于制造这种半导体装置的方法。背景技术 在最近几年，在半导体集成电路装置中使用的MISFET利用较薄的栅绝缘体作为布线(栅电极)变得小型化。传统的MISFET的栅绝缘体已经是通过硅基板的热氧化产生的氧化硅薄膜或通过使氧化硅薄膜氮化产生的氮氧化硅薄膜。然而，在工艺方面，进一步地减小氧化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的厚度已很困...
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