技术编号：7215122
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，更具体而言，涉及一种晶体管的制造方法，该晶体管可克服短沟道效应(SCE)。背景技术 通常，当形成半导体器件的晶体管时，硅衬底之上的栅极结构增高。为此，当器件尺寸按比例减小时，在限定栅极长度方面将会产生一些问题。此外，当形成轻掺杂漏极离子注入和源极/漏极离子注入时，分别需要进行掩模步骤。从而，增大了器件的制造成本。因此，需要发展一种可形成具有新的栅极结构的晶体管器件的技术。发明内容因此，本发明旨在提供一种，其基本上消除了由于现有技术...
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