技术编号：7215240
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及相变随机存取存储器(PRAM)及其制造方法，更具体，涉及PRAM及制造PRAM的方法，包括形成PRAM的加热元件的工序。背景技术 近年来发展了相变存储器件。相变存储器件具有当中断其电源时保持所存储的数据的非易失特性。相变存储器件的单位单元使用相变材料作为数据存储介质。相变材料具有两个稳定状态，即非晶态和晶体态，这由通过所施加的电流提供到单元结构的热来控制。通常所知的相变或硫化物(chalcogenide)材料是Ge、Sb和Te的化合物，通常称为G...
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