用于沉积工艺的高效阱的制作方法技术资料下载

技术编号:7222230

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本发明涉及用于半导体制造领域中的新的、有用的系统、设备和方法。 背景技术用于沉积纯的化合物材料的膜的薄膜沉积方法是已知的。近年来,用于薄膜沉积的主要技术是化学蒸汽沉积(CVD)。已经考虑用CVD的变体,原子层沉积 (ALD)来改善薄层沉积的均匀性和一致性,尤其是在低温沉积的情况下。通常,ALD方法包括一系列常规的CVD方法,它们各自产生单一-单层沉积, 其中,各个沉积步骤理论上在单个分子或原子单层厚度处趋于饱和,然后自动终止。 这一沉积是输送到系统中的反应...
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