技术编号：7222230
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于半导体制造领域中的新的、有用的系统、设备和方法。 背景技术用于沉积纯的化合物材料的膜的薄膜沉积方法是已知的。近年来，用于薄膜沉积的主要技术是化学蒸汽沉积(CVD)。已经考虑用CVD的变体，原子层沉积 (ALD)来改善薄层沉积的均匀性和一致性，尤其是在低温沉积的情况下。通常，ALD方法包括一系列常规的CVD方法，它们各自产生单一-单层沉积， 其中，各个沉积步骤理论上在单个分子或原子单层厚度处趋于饱和，然后自动终止。 这一沉积是输送到系统中的反应...
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