技术编号：7222848
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总地涉及磁性随机访问存储器(MRAM)器件，尤其涉 及用于形成MRAM器件的缝隙过孔位线的方法和结构。背景技术磁性(或磁阻)随机访问存储器(MRAM)是一种非易失性随 机访问存储器技术，其能够代替动态随机访问存储器(DRAM)用作 计算器件的标准存储器。将MRAM用作非易失性RAM可以实现"即 时启动"("instant on")系统，该系统在被打开时就可立即使用，因 此节省了传统PC例如在系统开机过程中将引导数据从硬盘驱动器转 移到易失性DRAM所...
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