技术编号：7223428
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。终止结构相关申请本申请基于2005年9月16日提交的名为"TERMINATION STRUCTURE"的美国临时申请60〃 17,842，并要求该临时申请的利益，由此 作出优先权的要求，并且该临时申请的公开内容作为引用被结合于此。背景技术参考图l，根据现有技术的功率半导体器件包括具有活动区12和终止区 14的半导体主体。活动区12优选地包括例如功率金属氧化层半导体场效晶体管 (MOSFET)的功率半导体器件的活动单元，该功率半导体器件可包括至少 一个PN结...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。