技术编号:7223937
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,并且尤其涉及一种制造倒T形沟道晶体管 的方法。背景技术对于增加MOS晶体管的密度和电特性的制造来讲,FinFET的 使用是极具吸引力的。鳍片(fin)立在衬底上来起到沟道的作用,从 而晶体管的主要部分是垂直的而不是横向的.除在衬底表面之上的结 构中以外,沟道方向是横向的.然而,困难之一是调节晶体管的电流 驱动的能力,尤其是增加电流驱动的能力。在横向的晶体管中,通过 改变沟道宽度容易调节电流驱动. 一种增加沟道宽度的方式是增加鳍 片高度,...
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