技术编号：7225197
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具备活性层的氮化物半导体发光元件，该活性层具有量子阱结构且由阱层包含有In的氮化物构成。 背景技术近年来，以向高密度光盘记录等应用等为目的而在努力开发短波长半导 体激光器。短波半导体激光器使用包含GaN、 AlGaN、 InGaN、 InGaAlN、 GaPN等氮的六方晶化合物半导体(以下单叫做氮化物半导体)。且使用氮化 物半导体的LED也在开发。在上述氮化物半导体发光元件中MIS结构的发光元件被使用，但由于 是层合高阻抗i型的GaN类半导体，所...
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